产品中心
首页 > ST/意法半导体 > STGWA80H65DFB
产品专区
联系方式
深圳市英瑞尔芯科技有限公司
电话:
E-mail:
地址:
深圳市福田区振华路现代之窗A座7B
产品简介:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 469 W 通孔 TO-247 长引线
立即咨询
产品介绍
类型 | 描述 | 选择 |
---|---|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | |
制造商 | STMicroelectronics | |
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
产品状态 | 停产 | |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 650 V | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 120 A | |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240 A | |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,80A | |
功率 - 最大值 | 469 W | |
开关能量 | 2.1mJ(开),1.5mJ(关) | |
输入类型 | 标准 | |
栅极电荷 | 414 nC | |
25°C 时 Td(开/关)值 | 84ns/280ns | |
测试条件 | 400V,80A,10 欧姆,15V | |
反向恢复时间 (trr) | 85 ns | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
封装/外壳 | TO-247-3 | |
供应商器件封装 | TO-247 长引线 | |
基本产品编号 | STGWA80 |
上一条:BSZ0501NSIATMA1
下一条:FGH75T65SHD-F155