产品中心
首页 > ST/意法半导体 > STGW40H65DFB
产品专区
联系方式
深圳市英瑞尔芯科技有限公司
电话：
E-mail：
地址：
深圳市福田区振华路现代之窗A座7B
产品简介：
IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247
立即咨询
产品介绍
类型 | 描述 | 选择 |
|---|---|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | |
制造商 | STMicroelectronics | |
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
产品状态 | 在售 | |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V | |
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80 A | |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 160 A | |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，40A | |
功率 - 最大值 | 283 W | |
开关能量 | 498µJ（开），363µJ（关） | |
输入类型 | 标准 | |
栅极电荷 | 210 nC | |
25°C 时 Td（开/关）值 | 40ns/142ns | |
测试条件 | 400V，40A，5 欧姆，15V | |
反向恢复时间 (trr) | 62 ns | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
封装/外壳 | TO-247-3 | |
供应商器件封装 | TO-247 | |
基本产品编号 | STGW40 |
上一条：LSM6DSLTR
