STGW40H65DFB

产品简介:

IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247

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产品介绍

产品属性
类型
描述
选择 
类别
分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V,40A
功率 - 最大值
283 W
开关能量
498µJ(开),363µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
210 nC
25°C 时 Td(开/关)值
40ns/142ns
测试条件
400V,40A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
62 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
基本产品编号
STGW40
相关标签:IGBT,STGW40H65DFB,

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