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产品简介：
RoHS是技术Si安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-3PF-3通道数量1 Channel晶体管极性N-ChannelVds-漏源极击穿电压1500 VId-连续漏极电流2.5 ARds On-漏源导通电阻9 Ohms配置SinglePd-功率耗散63 W系列N-channel MDmesh工厂包装数量50晶体管类型1 N-Channel单位重量7 g制造商STMicroelect
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产品介绍
| RoHS | 是 |
|---|---|
| 技术 | Si |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-3PF-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1500 V |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 9 Ohms |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 63 W |
| 系列 | N-channel MDmesh |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 单位重量 | 7 g |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 包装方式 | 管件 |
| 寿命周期 | 在售 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 1500V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 2.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 29.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 939pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 63W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 9 欧姆 @ 1.3A，10V |
| 工作温度范围 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
上一条：STGIB15CH60TS-L
