MOS管驱动电路应用

在应用MOS管设计电源或是电机驱动电源电路的情况下，绝大多数人都是考虑到MOS管的导通电阻器、较大 电压、较大 工作电流等，也是有很多人只是考虑到那些要素。那样的电源电路或许是还可以运行的，但并非出色的，做为真正的产品外观设计也是不允许的。

下边就是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点汇总，在其中参照了一些材料，并不是原創。包含MOS管的详细介绍、特性、驱动及其运用电源电路。

MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT)，能够被生产制造成加强型或耗光型，P断面或N断面共4种种类，但具体使用的仅有加强型的N断面MOS管和加强型的P断面MOS管，因此 一般提及的NMOS，或是PMOS是指这二种。

对于为何不适合号耗光型的MOS管，不建议追根究底。

针对这二种加强型MOS管，较为常见的是NMOS。缘故是导通电阻器小，且非常容易生产制造。因此 开关电源电路和电机驱动的使用中，一般都用NMOS，下边的详细介绍中，也多以NMOS为主导。

导通的意思是做为电源开关，等同于电源开关合闭。

NMOS的特性，Vgs超过一定的值就会导通，适用源极接地装置的状况(中低端驱动）

MOS开关管损失

无论是NMOS或是PMOS，导通后都是有导通电阻器存有，那样点电流量就会在这个电阻器上耗费动能，这一部分耗费的动能称为导通耗损。挑选导通电阻器小的NMOS管会减少导通耗损。

MOS在导通和截至的情况下，一定并不是在一瞬间结束的。MOS两边的电压有一个降低的全过程，穿过的电流量有一个升高的全过程，在这段时间内，MOS管的损失时电压和交流电的相乘，称为电源开关损失。一般电源开关损失比导通损失大很多，并且电源开关頻率越快，损失也越大。

导通一瞬间电压和交流电的相乘非常大，导致的损失也非常大。减少定时开关，能够减少每一次导通时的损失，减少电源开关頻率，能够减少单位时间内的按钮频次。这2种方式可以减少电源开关损失。

跟双正负极晶体三极管对比，一般觉得使MOS管导通不用电流量（电压型操纵元器件），只需GS电压高过一定的值，就可以了。这一非常容易保证，可是，大家还必须速率。

在MOS管的构造中还可以见到，在GS、GD中间出现分布电容，而MOS管的驱动，事实上也是对电容器的蓄电池充电。对电容器的电池充电必须一个电流量，由于电容器电池充电一下子能够把电容器看作短路故障，因此 刹那间交流电会非常大。挑选/设计方案MOS管驱动时第一要特别注意的是可带来一瞬间电流的尺寸。

MOS管最明显的特性是电源开关特性好，因此 被普遍使用于必须开关元件的线路中，普遍的如开关电源电路和电机驱动电源电路，也是有照明灯具变光。

如今的MOS驱动，几个非常的要求：

1. 低电压运用

当应用5V开关电源，此刻假如采用传统式的图腾柱构造，因为三极管的be仅有0.7V上下的损耗，造成具体最后载入gate上的电压仅有4.3V，此刻，大家采用允差gate电压4.5V的MOS管就存有一定的风险性。一样的情况也出现在应用3V或是别的低电压开关电源的场所。

2. 宽电压运用

键入电压并没有一个数值，它会由于時间或是其它要素而变化。这一变化造成PWM电路给予给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了更好地让MOS管在高gate电压下安全性，许多MOS管内嵌了稳压极管强制限定gate电压的幅度值。在这样的情形下，当带来的驱动电压超出稳压极管的电压，就会造成很大的静止功能损耗。

与此同时，假如简易的用电阻分压的机理减少gate电压，就会发生键入电压较为高的情况下，MOS管工作中优良，而键入电压减少的情况下gate电压不够，造成导通不足完全，进而提升功能损耗。

3. 双电压运用

在一些控制回路中，逻辑性一部分应用典型性的5V或3.3V数据电压，而输出功率一部分应用12V乃至更多的电压。2个电压选用共地方法联接。

这就明确提出一个规定，必须运用一个电源电路，让低电压侧可以合理的操纵髙压侧的MOS管，与此同时髙压侧的MOS管也一样会应对1和2提及的难题。

在这里三种情形下，图腾柱构造不能满足輸出要求，而许多现有的MOS驱动IC，好像都没有包括gate电压限定的构造。

文章内容来源于互联网。

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