IPB020N10N5LF

产品简介：

表面贴装型 N 通道 100 V 120A（Tc） 313W（Tc） PG-TO263-3

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产品介绍

剪切带（CT）

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™-5
包装	卷带（TR）
产品状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.1V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	195 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	840 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	313W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO263-3
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号	IPB020