IKW50N65EH5XKSA1

产品简介:

IGBT 沟道 650 V 80 A 275 W 通孔 PG-TO247-3

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产品介绍

类型
描述
全选
类别
分立半导体产品
晶体管
IGBT
单 IGBT
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop™
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,50A
功率 - 最大值
275 W
开关能量
1.5mJ(开),500µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
120 nC
25°C 时 Td(开/关)值
25ns/172ns
测试条件
400V,50A,12 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
81 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3
基本产品编号
IKW50N65


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