NVD5117PLT4G-VF01

产品简介：

表面贴装型 P 通道 60 V 11A（Ta），61A（Tc） 4.1W（Ta），118W（Tc） DPAK

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产品介绍

产品属性

剪切带（CT）

类型	描述	选择
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR）
产品状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Ta），61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	16 毫欧 @ 29A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	85 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4800 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	4.1W（Ta），118W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DPAK
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号	NVD5117