NVD5117PLT4G-VF01

产品简介:

表面贴装型 P 通道 60 V 11A(Ta),61A(Tc) 4.1W(Ta),118W(Tc) DPAK

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产品介绍

产品属性

剪切带(CT)


类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A(Ta),61A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
85 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
4.1W(Ta),118W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
NVD5117


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