SI4214DDY-T1-GE3

产品简介：

MOSFET - 阵列 30V 8.5A 3.1W 表面贴装型 8-SOIC

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产品介绍

产品属性

剪切带（CT）

类型	描述	选择
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR）
产品状态	在售
技术	MOSFET（金属氧化物）
配置	2 N-通道（双）
FET 功能	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	19.5 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	22nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	660pF @ 15V
功率 - 最大值	3.1W
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装	8-SOIC
基本产品编号	SI4214