IPB65R110CFD

产品简介：

表面贴装型 N 通道 650 V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO263-3

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产品介绍

产品属性

剪切带（CT）

类型	描述	选择
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	CoolMOS™
包装	卷带（TR）
产品状态	最后售卖
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	31.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	110 毫欧 @ 12.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	118 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3240 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	277.8W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO263-3
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号	IPB65R110

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