BSP135H6327XTSA1

产品简介：

表面贴装型 N 通道 600 V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4

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产品介绍

产品属性

剪切带（CT）

类型	描述	选择
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	SIPMOS®
包装	卷带（TR）
产品状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	120mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	0V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	45 欧姆 @ 120mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 94µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	4.9 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	146 pF @ 25 V
FET 功能	耗尽模式
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-SOT223-4
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号	BSP135