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深圳市英瑞尔芯科技有限公司
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产品简介：
表面贴装型 N 通道 650 V 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
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产品介绍
类型 | 描述 | 选择 |
|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | CoolMOS™ C7 | |
包装 | 卷带（TR） |
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） | |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 225 毫欧 @ 4.8A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 240µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 996 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 63W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 | |
封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | |
基本产品编号 | IPD65R225 |
