IRF5802TRPBF

产品简介:

表面贴装型 N 通道 150 V 900mA(Ta) 2W(Ta) Micro6™(TSOP-6)

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产品介绍

产品属性

剪切带(CT)

类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
900mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 欧姆 @ 540mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
88 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro6™(TSOP-6)
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
基本产品编号
IRF5802


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