IKW40N120T2

产品简介:

IGBT 沟道 1200 V 75 A 480 W 通孔 PG-TO247-3-1

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产品介绍

产品属性


类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop®
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
75 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V,40A
功率 - 最大值
480 W
开关能量
5.25mJ
输入类型
标准
栅极电荷
192 nC
25°C 时 Td(开/关)值
33ns/314ns
测试条件
600V,40A,12 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
258 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
基本产品编号
IKW40N120


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