IRF3205PBF

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通孔 N 通道 55 V 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB

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制造商 Infineon Technologies 制造商产品编号 IRF3205PBF 描述 MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB 详细描述通孔 N 通道 55 V 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB 规格书规格书类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® 包装管件产品状态在售 FET 类型 N 通道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss） 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 8 毫欧 @ 62A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 146 nC @ 10 V Vgs（最大值） ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3247 pF @ 25 V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 200W（Tc）工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装 TO-220AB 封装/外壳 TO-220-3 基本产品编号 IRF3205

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