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深圳市英瑞尔芯科技有限公司
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产品简介:
通孔 N 通道 55 V 110A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
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产品介绍
产品属性
IRF3205PBF | ||
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制造商 Infineon Technologies 制造商产品编号 IRF3205PBF 描述 MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB 详细描述 通孔 N 通道 55 V 110A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB 规格书 规格书 类型 描述 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® 包装 管件 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8 毫欧 @ 62A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 146 nC @ 10 V Vgs(最大值) ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3247 pF @ 25 V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 200W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 通孔 供应商器件封装 TO-220AB 封装/外壳 TO-220-3 基本产品编号 IRF3205 | ||
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