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产品简介：
产品属性 剪切带（CT）类型 描述 选择 类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商STMicroelectronics系列SuperMESH™包装卷带（TR）Product Status在售FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)400mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds
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产品介绍
类型 | 描述 | 选择 |
|---|---|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | |
制造商 | STMicroelectronics | |
系列 | SuperMESH™ | |
包装 | 卷带（TR） | |
Product Status | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 600 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA（Tc） | |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 156 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 3.3W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | SOT-223 | |
封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | |
基本产品编号 | STN1HNK60 |
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