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深圳市英瑞尔芯科技有限公司
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深圳市福田区振华路现代之窗A座7B
产品简介:
通孔 N 通道 1200 V 58A(Tc) 319W(Tc) TO-247-4L
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产品介绍
类型 | 描述 | 选择 |
---|---|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | |
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | ||
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | SiCFET(碳化硅) | |
漏源电压(Vdss) | 1200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 58A(Tc) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 56毫欧 @ 35A,20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4,3V @ 10mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 106 nC @ 20 V | |
Vgs(最大值) | +25V,-15V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1762 pF @ 800 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 319W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247-4L | |
封装/外壳 | TO-247-4 | |
基本产品编号 | NTH4L040 |
下一条:NGTB40N120FL3WG