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产品简介:
类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商STMicroelectronics系列SuperMESH?包装管件零件状态在售FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.8 欧姆 @ 1.5A,10V不同 Id 时
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产品介绍
类型 | 描述 | |
---|---|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | |
制造商 | STMicroelectronics | |
系列 | SuperMESH? | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A(Tc) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.8 欧姆 @ 1.5A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50μA | |
Vgs(最大值) | ±30V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 90W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220AB | |
封装/外壳 | TO-220-3 | |
漏源电压(Vdss) | 900 V | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 22.7 nC @ 10 V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 590 pF @ 25 V | |
基本产品编号 | STP3NK90 |
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