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三极管和MOS管的区别到底有哪些?

发布时间:2023-07-08 12:49:00

来源:http://www.szinter.com.cn/news954172.html

三极管又称半导体三极管,在电路设计中可以暂停电流控制,其主要作用是暂停和放大微小的信号。由于三极管与MOS管有许多相似之处,初学者无法澄清它们之间的区别。本文将介绍三极管和MOS管之间的一些差异。

三极管是电流控制,MOS管是电压控制。关于两者的区别,小编主要列出以下几点:

1、MOS管只允许从信号源中获得少量电流。当信号电压较低时,建议从信号源中获得更多电流。

2、MOS管是单极性装置,即多载流子导电;三极管是双极性装置,即多载流子和少载流子导电。

3、一些MOS管的源极和漏极可以交换使用,栅极也可以分为正极和负极,比三极管灵活得多。

4、MOS管的应用非常普遍,可以在相对较小的电流和相对较低的电压下工作。

5、MOS管输入阻抗大,噪音低。

6、MOS管比较贵,三极管价格低但损耗大。

7、MOS管常用作电源开关和大电流开关电路,而在高频高速电路中,三极管常用于数字电路开关控制。

三极管

一方面,三极管操作简单,价格低廉,因为它通常用于数字电路的开关控制。MOS管常用于高频高速电路、大电流场所和对基极或漏极控制电流敏感的中心。因此,对于低成本场所,考虑以三极管为首选,如果不起作用,则考虑选择MOS管。

另一方面,三极管不同于MOS管。三极管是通过载流子的运动来工作的。以npn管射极跟随器为例。当基极不加电压时,基区和发射区组成的pn结是为了防止多个子体,基区是空穴,发射区是电子扩散运动。在这个pn结中,会感应到发射区指向基区的静电场(即内部电场)。当基极加正电压指向基区指向发射区时,当基极加电压产生的电场大于内部电场。只有基区的载流子(电子)才能从基区流向发射区,这个电压的最小值是pn结的正导游通电压(工程上一般认为0.7v)。

然而,在这个时候,每个pn结的两侧都会有电荷。此时,假设集电极-发射极加正电压,在电场的作用下,发射区的电子向基区移动(理论上是电子向相反方向移动)。由于基区宽度很小,电子很容易通过基区到达集电区,并与这里的PN空穴(靠近集电极)复合。为了保持平衡,集电区的电子在正电场的作用下加速外集电极的运动,而且空穴是pn结处运动,这个过程类似于雪崩。

收集电极的电子通过电源返回到发射极,这是晶体管的工作原理。当三极管工作时,两个PN结都会感应到电荷。当开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态。假设PN结感应的电荷需要时间才能恢复到平衡状态。MOS不同于三极管,没有这个恢复时间,所以它可以用作高速开关管。

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