引发MOS管发热？95%是这四个因素

MOS管是ESD静电保护的重要组成部分。目前，它经常出现在各种电子产品中，深受电子行业的喜爱和追捧，特别是在电源设计或驱动电路方面，不可避免地使用现场效应晶体管，通常被称为MOS管。MOS管有很多种，也有很多功能。

当然，使用电源或驱动器是使用它的开关。

接下来，让我们了解MOS管发热的四个关键因素。

　　1、芯片发热

　　本内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。如果芯片消耗的电流是2mA，芯片上加上300V的电压，芯片的功耗是0.6W，当然会导致芯片发热。驱动芯片的最大电流来自驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式如下：I=cvf，考虑到充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c是功率MOS管的cgs电容，v是功率管导通时的gate电压。因此，为了降低芯片的功耗，我们必须找到减少c的方法、v和f。如果c、v和f不能改变，所以请想办法将芯片的功耗分成芯片外的设备，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的散热。

　　2、功率管发热

　　功率管的功耗分为开关损耗和导通损耗两部分。需要注意的是，在大多数情况下，特别是LED市电驱动应用程序，开关损坏远大于导通损耗。开关损耗与功率管的CGD和CGS以及芯片的驱动能力和工作频率有关，因此可以从以下几个方面解决功率管的加热问题：A、MOS功率管不能根据导通电阻的大小单方面选择，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。例如，1N60cgs约为250pf，2N60cgs约为350pf，5N60cgs约为1200pf。差别太大了。选择功率管时，就足够了。B、其余的是频率和芯片驱动能力，这里只谈频率的影响。频率也与导通损耗成正比，所以当电源管发热时，首先要考虑频率选择是否有点高。想办法降低频率！但需要注意的是，当频率降低时，峰值电流必须变大或电感变大，以获得相同的负载能力，这可能导致电感进入饱和区域。如果电感饱和电流足够大，可以考虑将CCM(连续电流模式)改为DCM(非连续电流模式)，从而增加负载电容。

　3、降低工作频率

　　这也是用户调试过程中常见的现象，降频主要由两个方面引起。输入电压与负载电压的比例小，系统干扰大。对于前者，注意不要将负载电压设置得太高，尽管负载电压很高，但效率会更高。对于后者，可以尝试以下几个方面:a、设置最小电流的小点；b、布线清洁点，尤其是sense的关键路径；c、选择小点或闭合磁路的电感；d、加入RC低通滤波器吧，这种影响有点不好，C的一致性不好，偏差有点大，但对照明来说应该足够了。无论如何降频都没有好处，只有坏处，所以一定要解决。

　　4、电感或变压器的选择

　　最后，我谈到了重点。我还没有开始。我只能胡说八道饱和的影响。许多用户反应说，相同的驱动电路，A生产的电感没有问题，B生产的电感电流变小。在这种情况下，要看电感电流波形。有些工程师没有注意到这种现象，直接调整sense电阻或工作频率以达到所需的电流，这可能会严重影响LED的使用寿命。因此，在设计之前，必须进行合理的计算。如果理论计算参数与调试参数相差较远，则应考虑是否降频和变压器饱和。当变压器饱和时，L会变小，导致传输delay引起的峰值电流增量急剧增加，因此LED的峰值电流也会增加。在平均电流不变的前提下，只能看光衰减。