三极管和MOS管驱动电路的正确用法

2017年05月18日 20:27:38 张家顺子 阅读数：14597 标签： 三极管MOS管 更多个人分类： 电子技术

1 三极管和MOS管的基本特性是电流控制电流装置，集电极电流的变化由基极电流的变化控制。有两种NPN三极管和PNP三极管，符号如下：

MOS管是一种电压控制电流装置，利用网极电压的变化来控制漏极电流的变化。有P通道MOS管(以下简称PMOS)和N通道MOS管(以下简称NMOS)，符号如下(这里只讨论常用的增强MOS管)：

2 正确应用三极管和MOS管(1)NPN型三极管，适用于射极接GND集电极负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压(GND)0.7V，即发射结正偏(VBE为正)，NPN型三极管即可开始导通。基极用高电平驱动NPN三极管导通(低电平时不导通)；除限流电阻外，基极的设计更好，下拉电阻从10-20k到GND；优点是，①当基极控制电平由高到低时，基极可以更快地降低，NPN型三极管可以更快、更可靠地截止；②当系统第一次上电时，基极是确定的低电平。(2)PNP型三极管，适用于将射极接VCC集电极连接到GND的情况。只要基极电压低于射极电压(VCC在这里)0.7V，即发射结反偏(VBE为负)，PNP三极管可开始导通。PNP三极管导通由基极低电平驱动(高电平时不导通)；除限流电阻外，基极的更好设计是将10-20k的拉电阻连接到VCCC。；优点是，①当基极控制电平由低变高时，基极可以更快地被拉高，PNP三极管可以更快、更可靠地截止；②当系统刚上电时，基极是一个确定的高电平。

因此，对于NPN三极管，最好的设计是将负载R12连接到集电极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R12连接到射极和GND。对于PNP三极管，最好的设计是将负载R14连接到集电极和GND之间。设计不够周到，负载R14连接到集电极和VCC之间。这样，负载的变化就可以避免耦合到控制端。从电流的方向可以清楚地看出。（3）PMOS，适用于源极接VCC漏极接负载到GND的情况。只要栅极电压低于源极电压(这里是VCC)超过VTH(即VGS超过VTH)-Vth），可以开始PMOS导通。栅极采用低电平驱动PMOS导通(高电平时不导通)；除了限流电阻外，格栅极的最佳设计是将拉电阻连接到10-20k到VCC，使格栅极的控制电平从低到高，格栅极可以更快地提高，PMOS可以更快、更可靠地停止。（4）NMOS，适用于源极接GND泄漏极接负载到VCC的情况。NMOS可以开始导通，只要栅极电压高于源极电压(这里是GND)超过VTH(即VGS超过VTH)。NMOS导通由栅极高电平驱动(低电平时不导通)；除了限流电阻外，格栅极的最佳设计是将电阻从10-20k拉到GND，使格栅极的控制电平从高到低，格栅极可以更快地降低，NMOS可以更快更可靠地停止。

因此，对于PMOS来说，最好的设计是在漏极和GND之间连接负载R16。不够周到的设计是，负载R16连接到源极和VCC。对NMOS而言，最好的设计是将负载R18连接到漏极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R18连接到源极和GND。3 设计原则是将负载的变化耦合到控制端(如MCU)的精密逻辑器件(如基极IB或栅极Vgs)中，以避免负载的变化。