MOS管：主要参数和重要特性

众所周知，晶体管分为双极晶体管和单极晶体管，其中：

双极晶体管：三极管 NPN管和PNP管；

单极晶体管：场效管（MOSFET和JFET）；

MOS相对三极管具有速度快、输入阻抗高、噪音低、动态范围大、功耗小、集成方便等优点。

总结其主要参数和重要特性，只有更好地理解其参数和特性，才能设计出稳定可靠的电路。

BVDSS：泄漏电压是正温度系数

BVGS：格栅源击穿电压

VGS(th)：阈值电压为负温度系数

VSD：二极管正电压

RDS(on)：导通电阻

RGS：栅源电阻与栅极电流之比

IDSS：正温度系数

IGSS：格栅源泄漏电流，特定格栅源电压下流过格栅极的电流

Ciss输入电容，短接漏源，测量交流信号的栅极与源极之间的电容。

Ciss=Cgs Cgd，当输入电容器充电到阈值电压时，设备打开放电到一定值的设备关闭，从而驱动电路和Ciss直接影响设备的开关延迟；

Coss输出电容，栅源短接，交流信号测量泄漏电极和源极之间的电容。

Coss=Cds Cgd，软开关应用可能导致电路谐振；

Crss反向传输电容，源极接地，测量漏极与栅极之间的电容，相当于Cgd。

又称米勒电容，对开关的上下时间非常重要。

Td（on）导通延迟时间：当格栅源电压上升到10%时，格栅极驱动电压上升到规定电流的90%。

Td（off）关闭延迟时间：当网源电压下降到90%时，当网极驱动电压下降到规定电流的10%。

Tr：上升时间：漏极电流从10%上升到90%；

Tf：下降时间：漏极电流从90%下降到10%；

NF低频噪声系数：噪声是由管道内载流子运动的不规则引起的由于其存在，放大器在没有信号输入的情况下，输出端也会发生不规则的电压和电流变化。场效应管的噪声系数一般为几个分贝，小于双极三极管。

gm：跨导，像三极管β，衡量MOS管道放大能力标志之一；

小功率管gm大功率管可以做大gm一般都很小；特别是开关有效，小好。

电导是电阻的倒数，跨导是输出端电流变量与输入端电压变化的比值；

因此，跨导可以控制漏源之间的电流。

Ø 导通特性

导通的意义是作为开关，相当于开关关闭。Vgs满足一定条件就会导通。

Ø 损耗特性

导通电阻存在后，电流会被电阻消耗能量，这部分称为导通损耗；

小功率管的导电阻一般为几毫欧几十毫欧，Vgs电压不同，电阻也不同。

当管道在导电和截止日期时，两端的电压有一个着陆过程，电流有一个上升过程。在此期间，管道的损失是电压和电流的乘积，称为开关损失；通常，开关损失远大于导电损失。频率越快，损失就越大。缩短开关时间，降低开关频率可以减少开关损失。

Ø 寄生电容驱动特性

GS GD寄生电容器之间，MOS理论上，管道驱动是对电容器的充放电；

电容器充电需要一个电流，因为电容器充电瞬间可以看作是短路，所以瞬时电流会比较大，所以在选择时要注意抗冲击电流的大小。

Ø 寄生二极管

漏极源极之间有一个寄生二极管，也称为体二极管，主要用于保护感性负载(电机继电器)的电路。然而，体二极管只是单个的MOS集成芯片中没有管道。

Ø 转移特性

现场效应管的转移特性是指当泄漏电压固定时，格栅电压Vgs对漏极电流Id控制特性；

Vertical D-MOS管2N7002特性；VDMOS的跨导（gm）线性度好。

电源开关管的特点。

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