经典图文，带你一文搞懂MOS管！！

在绝缘层格栅场效管中，金属铝是现阶段常见的二氧化硅（Al）电缆护套称为金属材料一氧化物-半导体材料mos晶体管，通称MOSFET或是MOS管。

G很容易区分，大伙儿一眼就能区分。

无论是P沟还是N沟，两条线的交点都是S极。

无论是P沟还是N沟，D极都是独立导线。

指向G极的箭头是N沟。

P沟是箭头背向G极的。

N从S极到D极的沟通。

P从D极到S极的沟通。

如果觉得上面两个不太好记，教大家一个鉴别方法:无论是N沟还是P沟MOS管道，中间衬底箭头的方向与寄生二极管箭头的方向一致，上图已经标明可以看。

N沟道：Ug>Us时导通。(简单感觉)Ug=Us时截至。

P沟道：Ug

留意一点，MOS管制电源开关元件时，I/O不能接错，接反寄生二极管一直处于关闭状态，MOS本身就失去了电源开关的效果。

将数字万用表调整到二极管档。

红色直流电流表（ 极)接D极，红表笔（ 极)接S极:假设二极值小于0.7V下列。随后大家互换直流电流表，黑表笔（-极）接D极，红色直流电流表（ 极)接S极:假设二极值高于1.2V以上。然后我们可以区分这一点➣PMOS。如果两个精确的测量结果与每个人的假设相反，则可以区分为➣NMOS。

梳理上述叙述的区别P,N沟通方式的逻辑，DS极中间的寄生二极管很重要！换句话说，我们通过准确测量寄生二极管的关闭方向来区分它P,N沟道的。

在低混合浓度值的P型半导体硅衬底上，采用半导体材料光刻技术和扩散工艺制作两个高混合浓度值N 该区域用金属铝引出两个电级，分别用作漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面覆盖一层非常薄的二氧化硅（Si02)电缆护套膜，在这个电缆护套膜上使用铝电级，作为网压G。这就形成了N沟加强型MOS管。很明显，它的栅压和其它电级之间是绝缘层。

同样，在低混合浓度值的N型半导体硅衬底上，采用半导体材料光刻技术和扩散工艺制作两个高混合浓度值P 区域及以上相同的格栅压制工艺将成为P沟加强型MOS管。

增强型MOS管道的漏极D和源极S之间有两个背对背PN结。当栅-源工作电压VGS=0时，即使加上漏源工作电压VDS，总有一个PN在反偏情况下，泄漏-源极之间没有导电通道（没有电流通过），因此泄漏电流ID=0。此时，如果在栅-源极间加上正向工作电压，即VGS>0，栅压和硅衬底中间SiO2.由于金属氧化物层是绝缘层，因此在电缆护套中，会导致格栅压力指向P型硅衬底的静电场VGS无法产生电流，金属氧化物层两侧产生电容器，VGS等效电路是给电容器电池充电，产生静电场，伴随着VGS慢慢上升，被网格压力的正电流吸引，许多大型企业聚集在电容器的另一边，产生从泄漏到源极的N导电通道，当VGS打开超过管道的工作电压VT（一般约为 2V）时，N沟管逐渐关闭，产生漏极电流ID，人们称逐渐产生沟通时的栅-源极工作电压为开启工作电压，一般使用VT表明。控制工作电压VGS如果静电场的尺寸发生变化，可以操纵漏极电流ID这也是尺寸的目的地MOS静电场用于操纵电流的一个关键特性，因此也称为场效管。

MOS动画平面图的管理原理也有N沟和P沟两大类，但每一类分为加强型和耗光型，因此MOS四种管道类型为：N沟通加强型管，N沟通耗光管，P沟通加强型管，P通道耗光管。