MOS管电压型静电击穿特点

其实MOS管一个ESD敏感设备本身的输入电阻很高，网格-源极间电容很小，容易被外部电磁场或静电感应带电，在静电强的情况下难以释放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式，电压型和功率型。MOS今天管道制造商将分享电压静电击穿的特点。

电压型击穿，即MOS管栅极的薄氧化层被击穿，形成针孔，使栅极与源极间短路，或使栅极与漏极间短路，其特点是：

（1）穿透击穿点柔软。在击穿过程中，电流逐渐增大，因为耗尽层扩大较宽，产生较大的电流。另一方面，耗尽的层宽容易发生DIBL效果，使源衬底结偏出现电流逐渐增大的特点。

（2）当源泄漏的耗尽层连接时，源端的载流子注入耗尽层，耗尽层中的电场加速到达泄漏端。因此，穿透击穿的电流也急剧增加，这与雪崩击穿时的电流急剧增加不同。此时，电流相当于源衬底PN结正导通时的电流，雪崩击穿时的电流主要是PN雪崩电流结反击穿时，如果不限流，雪崩击穿的电流会更大。

(3)穿通击穿一般不会出现破坏性击穿。由于穿通击穿场强不能达到雪崩击穿场强，不会产生大量的电子空穴对。

(4)穿通击穿一般发生在沟体内，沟体表面不易穿通，主要是因为沟体注入导致表面浓度大于浓度。因此，是的NMOS防穿通注入通常用于管道。

(5)一般来说，鸟嘴边缘的浓度大于沟中间的浓度，因此通常发生在沟中间。

(6)多晶格栅的长度对穿通击穿有影响，随着格栅长度的增加而增加。严格来说，对雪崩击穿也有影响，但没那么显著。