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MOS管电压型静电击穿特点

发布时间:2022/11/22 12:41:00

来源:http://www.szinter.com.cn/news892168.html

其实MOS管一个ESD敏感设备本身的输入电阻很高,网格-源极间电容很小,容易被外部电磁场或静电感应带电,在静电强的情况下难以释放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式,电压型和功率型。MOS今天管道制造商将分享电压静电击穿的特点。

电压型击穿,即MOS管栅极的薄氧化层被击穿,形成针孔,使栅极与源极间短路,或使栅极与漏极间短路,其特点是:

(1)穿透击穿点柔软。在击穿过程中,电流逐渐增大,因为耗尽层扩大较宽,产生较大的电流。另一方面,耗尽的层宽容易发生DIBL效果,使源衬底结偏出现电流逐渐增大的特点。

(2)当源泄漏的耗尽层连接时,源端的载流子注入耗尽层,耗尽层中的电场加速到达泄漏端。因此,穿透击穿的电流也急剧增加,这与雪崩击穿时的电流急剧增加不同。此时,电流相当于源衬底PN结正导通时的电流,雪崩击穿时的电流主要是PN雪崩电流结反击穿时,如果不限流,雪崩击穿的电流会更大。

(3)穿通击穿一般不会出现破坏性击穿。由于穿通击穿场强不能达到雪崩击穿场强,不会产生大量的电子空穴对。

(4)穿通击穿一般发生在沟体内,沟体表面不易穿通,主要是因为沟体注入导致表面浓度大于浓度。因此,是的NMOS防穿通注入通常用于管道。

(5)一般来说,鸟嘴边缘的浓度大于沟中间的浓度,因此通常发生在沟中间。

(6)多晶格栅的长度对穿通击穿有影响,随着格栅长度的增加而增加。严格来说,对雪崩击穿也有影响,但没那么显著。

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