三极管和MOS管作为开关管时如何选择？

三极管和MOS管道都是非常常见的电子元件，两者都可以都可以用作电子开关管两者都可以在许多地方交换。三极管和MOS管道作为开关管，有很多共同点，也有不同点，那么在电源设计中，如何选择彼此呢？

三极管有NPN型和PNP型，同样MOS管道也有N段和P沟，三极管的三个管脚是基极B、集电结C和发射极E，而MOS三根管脚分别是栅压G、漏极D和源极S。下面以NPN三极管和N段MOS以管为例，下图为三极管和MOS控制基本原理。

▲NPN三极管与N-MOS管当开关管理原理

(1)控制方法不同，三极管是电流控制电子设备，MOS管道是电压控制元件，三极管导通所需的控制端键入电压较低，一般为0.4V~0.6V三极管导通可以通过改变基极功率电阻来完成。而MOS管道为电压控制，导通所需电压一般为4V~10V当达到饱和状态时，需要6个电压V~10V上下。三极管一般用作控制电压较低的地方的开关管，三极管也可以用作缓存控制MOS管道，如单片机设计，DSP、powerPC等CPUI/O口电压低，只有3.3V或2.5V，一般不容易立即控制MOS电压低的管道MOS三极管控制一般用于管道无法导通或内电阻很大，窝内斗大，达不到预期效果。

(2)输入电阻不同，三极管输入电阻小，MOS管道输入阻抗大；结电容不同，三极管结电容比MOS管大，姿势对应MOS管道比三极管快；可靠性MOS管道质量更好，三极管少子参与导电性，易受温度危害，噪音高，而且MOS多子导电性好，噪音低，耐热性好。

（3）MOS管内电阻不大，大一点的几十mΩ，小的仅有几mΩ，例如4mΩ、2mΩ等等，三极管的导通损耗几乎不会改变，一般为0.3V~0.6V因此，它通常喜欢在小电流场所使用MOS内电阻小压降低，但三极管一般用于大电流场所，如数百个A，当电流超过千A甚至数千A时，三极管的导通损耗仅为0.3V~0.6V上下，应用MOS即使内电阻不大，电流也很大，损耗仍然很大，比如内电阻2mΩ，电流1000A，然后损失达到2V，功能损失很大，达到2万W，三极管功能损耗仅为3000W~600W电流越大，差异越明显，因此，在车辆、高铁动车等几千皮安的大电流场所，都选用三极管作为开关管。

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