MOS管导通电阻如何进行处理，MOS厂家这就告诉你！

MOS管导电阻一般用于尽快分压和释放阻断电荷，避免全桥短路。在使用过程中，高压MOS管道的导电阻是决定耗散功率的重要参数，因此应用良好MOS管导通的作用可以提高设备的效率。今天，为了更好地应用它MOS管，广州飞虹MOS制造商分享如何降低高压MOS管道的导电阻。

降低高压MOS管导电阻的原理和方法

1.耐压性不同MOS管道的导电阻分布。耐压性不同MOS导通电阻各部分的电阻比分布也不同。例如，耐压30V的MOS管道的外延层电阻仅为总导电阻的29%，耐压性为600V的MOS管道外延层电阻为总导电阻的96.5%。

可推断耐压800V的MOS管道的导电阻几乎被外延层电阻占据。为了获得高阻断电压，必须使用高阻率的外延层并增厚。这是传统的高压MOS高导电阻的根本原因是管结构。

2.降低高压MOS管导电阻的思路。虽然增加管芯面积可以降低导电阻，但商品不允许增加成本。以上两种引入少数载流的方法不能降低高压MOS管道导电阻的剩余思路是如何分别解决阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂和低电阻率。如果导通过程中低掺杂的高耐压外延层只能增加导通电阻，则没有其他用途。

导电通道可以以高掺杂、低电阻率实现MOS管道关闭时，尽量以某种方式夹住通道，使整个设备的耐压性仅取决于低掺杂N-外延层。横向电场高压建筑。MOS如图所示，管道的剖面结构和高阻断电压低导电阻的示意图。

mos管导通电阻

当VGS＜VTH当时，由于电场反形而产生的N型导电沟无法形成，D，S间加正电压，使MOS管内部PN结反偏形成耗尽层，耗尽垂直导电的N区。该耗尽层具有纵向高阻断电压，如图所示（b）此时，设备的耐压性取决于P和N-耐压N-低掺杂、高电阻率是必要的。

今日广州飞虹MOS先到这里分享管厂家！