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MOS管导通电阻如何进行处理,MOS厂家这就告诉你!

发布时间:2022/11/19 12:41:00

来源:http://www.szinter.com.cn/news891330.html

MOS管导电阻一般用于尽快分压和释放阻断电荷,避免全桥短路。在使用过程中,高压MOS管道的导电阻是决定耗散功率的重要参数,因此应用良好MOS管导通的作用可以提高设备的效率。今天,为了更好地应用它MOS管,广州飞虹MOS制造商分享如何降低高压MOS管道的导电阻。

降低高压MOS管导电阻的原理和方法

1.耐压性不同MOS管道的导电阻分布。耐压性不同MOS导通电阻各部分的电阻比分布也不同。例如,耐压30V的MOS管道的外延层电阻仅为总导电阻的29%,耐压性为600V的MOS管道外延层电阻为总导电阻的96.5%。

可推断耐压800V的MOS管道的导电阻几乎被外延层电阻占据。为了获得高阻断电压,必须使用高阻率的外延层并增厚。这是传统的高压MOS高导电阻的根本原因是管结构。

2.降低高压MOS管导电阻的思路。虽然增加管芯面积可以降低导电阻,但商品不允许增加成本。以上两种引入少数载流的方法不能降低高压MOS管道导电阻的剩余思路是如何分别解决阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂和低电阻率。如果导通过程中低掺杂的高耐压外延层只能增加导通电阻,则没有其他用途。

导电通道可以以高掺杂、低电阻率实现MOS管道关闭时,尽量以某种方式夹住通道,使整个设备的耐压性仅取决于低掺杂N-外延层。横向电场高压建筑。MOS如图所示,管道的剖面结构和高阻断电压低导电阻的示意图。

mos管导通电阻

当VGS<VTH当时,由于电场反形而产生的N型导电沟无法形成,D,S间加正电压,使MOS管内部PN结反偏形成耗尽层,耗尽垂直导电的N区。该耗尽层具有纵向高阻断电压,如图所示(b)此时,设备的耐压性取决于P和N-耐压N-低掺杂、高电阻率是必要的。

图(b)

今日广州飞虹MOS先到这里分享管厂家!

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