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工程师必须掌握的MOS管驱动设计细节

发布时间:2022-11-17 12:41:00

来源:http://www.szinter.com.cn/news890496.html

一般觉得MOSFET它由电压驱动,无需驱动电流。众所周知,在MOS的G S二级中间有结电容器,会驱动MOS变得不那么简单。

如果不考虑谐波失真和谐波失真EMI等等,MOS管道电源开关速率越快越好。由于定时开关越少,开关损耗越小,开关损耗占开关电源电路总损耗的很大一部分,因此MOS管驱动电源电路的优缺点立即影响电源效率。

针对一个MOS管,假如把GS中间电压从0拖到管道打开电压的时间越少,那么MOS打开管道的速度会更快。与此类似,如果把手MOS管的GS电压从打开电压降至0V时间越少,那么MOS关闭管道的速度越快。

因此,我们可以理解,如果我们想在更短的时间内把它放在更短的时间内GS需要提高或降低电压MOS管栅极高的瞬间驱动电流。

常见的大伙儿PWM立即驱动芯片导出MOS或者用三极管放大后再驱动MOS事实上,在瞬间驱动电流方面存在很大的问题。

更好的方法是应用特殊的方法MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管道,这种芯片通常在很大的瞬间导出电流,并且兼容TTL电平键入,MOSFET驱动芯片的内部结构

MOS必须注意驱动电路原理的区域:

生存电感器和生存电感器将出现在驱动路线布线上MOS管道的结电容会形成一个结电容LC谐振电路,如果驱动芯片的导出端立即收到MOS管栅极得话,在PWM波的升降会造成很大的振荡,造成MOS管道大热甚至爆炸,一般的解决方案是将10欧欧元的电阻串联在栅极上,减少LC正弦波振荡器的Q值,快速损失振荡。

由于MOS管栅输入电阻极高,一点静电感应或影响很可能造成MOS因此,建议管理欺诈通行证MOS管G S中间并接一个10K减少输入电阻

如果担心周围输出功率路线的影响,莲藕会回来,造成瞬间高压穿透MOS如果话,可以在GS中间并接一个18V上下的TVS二极管瞬态抑制,TVS可以认为是反应速率快的稳压管,瞬间可以承受的输出功率高于一切KW,单脉冲可用于消化和吸收一瞬间的影响。

MOS参考管道驱动电源电路

MOS管驱动电源电路布线设计方案

MOS虽然驱动路线的环城路总面积应尽可能小,否则可能会引入外部干扰信号

驱动芯片的旁路电容应尽可能靠近驱动芯片VCC和GND管脚,否则布线的电感器会在很大程度上损坏芯片的瞬时导出电流。

普遍的MOS管驱动波型

如果发生这样的波形,等待核爆炸。大部分时间管道在线区域工作,消耗极大。

一般这种情况是电感器走线太长,栅极电阻救不了你,只好再画木板。

高频振铃严重破相波形。升降时沿振荡严重,管道一般瞬间死亡,类似于一种情况,进入线形区域。原因也差不多,主要是走线问题。肥猪波又胖又圆。升降沿极其缓慢,这是由于特性阻抗不匹配造成的。芯片驱动能力差或栅极电阻大。

坚决更换大电流驱动芯片,栅极电阻小格调OK了。

肿脸充正弦函数出生在波形家族的三角波中。驱动电源电路特性阻抗超大发生。这是管道必杀技波。解决方案和上面一样。

每个人的脸,公众最喜欢的波形。高低频率清晰,脉冲信号现在可以称为脉冲信号,因为它是平的。边缘陡峭,电源开关速度快,损耗小,振荡小,可以接受,管道不能进入线性区域,强迫思维可以适度调整高栅极电阻。

四四方方的帅男波,无振铃无峰无线损耗的三无产品,这是最极端的波型。

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