浅谈开关电源MOS管发热的原因

MOS管是FET一种，可生产成加强型或耗光型，有P型或N型，无论哪一种，其原理本质都是一样的。MOS其电源开关功效在开关电源的应用中具有多种类型和功效。

MOS管道通常添加到键入端格栅压力的工作电压来调节导出端泄漏电极的电流。根据加入格栅压力的工作电压调节元件的特点，不易产生基极电流等三极管电源开关引起的正电荷存储效果。常见于开关电源MOS管道漏极引路电源电路，漏极完好无损地连接负荷，称为引路漏极。无论负载连接到多大的工作电压，都可以连接和关闭负载电流，这是一个理想的模拟开关元件。

MOS管道的工作环境可分为启用全过程、关闭、关闭全过程和截止日期。损耗可分为电源开关损耗、导通损耗、截止日期损耗和山体崩溃能量损耗。流量、过电压和静电感应是由流量、过电压和静电感应引起的。

发烧的关键原因有四个:

1.电路原理问题。MOS管道工作中的线性运行状态，而不是电源开关。NMOS做电源开关，G级工作电压比开关电源高几V才能完全关闭，P-MOS反过来。输出功率消耗不完全打开，损耗过大，等效电路直流电阻抗大，损耗扩大。U*I也扩大，损失代表烫伤。

2.应用频率过高。如果过度追求完美体积，频率会增加，MOS管道损失扩大，烫伤也加强。

3.排热设计方案不够好，电流过高，MOS额定值的电流值一般必须排热良好。ID低于大电流，也有可能发热严重，所以必须有足够的辅助散热器。

4、MOS管的型号选择不正确。如果输出功率分辨不正确，MOS未考虑管内电阻，导致电源开关特性阻抗扩大。

上边讲了MOS以下是开关电源开关管损坏的关键因素：

1.开关电源输入的交流电流过高或过低；

2.软起动电源电路无效；

3.开关管集成电路芯片反峰消化吸收电源电路无效；

4.稳压电源电路中去耦电容无效；

5、稳压电源电路的负反馈开环增益；

6.正反馈过强；

7.整流二极管损坏；

8.开关电源变电器损坏；

9.开关电源整流管损坏；

10.开关管发射极功率电阻过小；

11.开关管特性差或效率低；

12.开关管与散热器之间绝缘层差。