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浅析MOS管在集成电路的详细应用

发布时间:2022/9/15 12:32:00

来源:http://www.szinter.com.cn/news867827.html

现阶段,制定中应用的关键电阻器有三种:多晶硅MOS管及其电容器电阻。在制定中,要依据必须熟练掌握这3种电阻,使集成ic最好的设计方案。

1、MOS管道集成电路的特点和特点

1、功耗低MOS管道集成电路采用场效管,均为相辅相成的结构。在工作过程中,两个串联的场效管一直处于一个管道导通,另一个管道截止时,电源电路静态数据功耗理论为零。事实上,由于泄漏电流,MOS管电源电路还有少量静态数据功耗。单个逻辑门的典型功耗值仅为20mW,动态功耗(1MHz输出功率只有几个mW。

2.工作标准电压范围宽MOS管道集成电路配电简单,配电开关电源小,通常不需要稳压管。CC4000系列产品的集成电路可以在3~18V正常工作在工作电压下。

3.逻辑摆幅大MOS管道集成电路的逻辑高电平1和逻辑低电频0各接近开关电源的高电位VDD影片低电位差VSS。当VDD=15V,VSS=0V导出逻辑摆幅与15相似V。因而,MOS在各种集成电路中,管道集成电路的工作电压和电压利用率指标值较高。

输入电阻高MOS管道集成电路的输入端一般由维护二极管和串联电阻组成,因此略小于一般现场管道的输入电阻,但在所有正常工作标准电压范围内,维护二极管处于相反的方向偏置,直流输入电阻在于二极管的泄漏电流,一般等效电路输入电阻达到103~1011Ω,因而MOS管道集成电路几乎不消耗光耦电路的输出功率。

5.温度可靠性好,因为温度可靠性好MOS管道集成电路功耗低,内部热值低,MOS管道电源线路结构和电气设备的主要参数是对称的。当温度自然环境发生变化时,一些主要参数可以具有自动补偿效果MOS管道集成电路具有良好的温度特性。工作温度为-55~ 125℃;塑料封装电源电路的温度范围为-45~ 85℃。

6.通过电源电路导出端可以推动的键入端数来表示扇出能力强。MOS管道集成电路的输入电阻极高,因此电源电路的输出能力受键入电容器的限制,但当MOS管道集成电路用于推动同一类型,如果不考虑速率,一般可以推动50多个键入端。

2、MOS管道集成电路电阻的应用

多晶硅电阻集成电路中的片式电阻间距理想化电阻相对较远,在规范中MOS管加工工艺中,最满意的微波感应器电阻器是多晶硅条。

ρ为电阻率;t金属板薄厚;R□=(ρ/t)企业为层析电阻率Ω/□;L/W为宽高比。由于常见的层析电阻不大,多晶硅的电阻率通常为100Ω/□,设计方案标准明确了多晶硅条总宽度的极小值,因此由于集成,低值电阻必须规格较大ic事实上,范围的限制是很难完成的。蔓延条自然可以用来分析电阻,但由于工艺技术的多变性,通常很容易受到温度和工作电压的危害,很难准确操作其肯定值。实际生存效果也很显著。无论是多晶硅还是扩散层,它们的电阻变化范围都很大,与引入原料中的杂质浓度有关。精确值不易计算。数字功放电阻器常用于集成电路。

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