MOS管被击穿的解决方案

mos管是金属材料（metal）—金属氧化物（oxide）—半导体材料（semiconductor）场效晶体管，或金属材料-绝缘物（insulator）—半导体材料。MOS管的source和drain可以交换，都是P型。backgateN型区中产生。在大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两侧交换也不会损坏设备的特性。这种设备被认为是对称的。

mos管界定

双极晶体管将键入端电流的细微转换变大后，在导出端导出大电流转换。双极晶体管的收获定义为导出输入电流的比例（beta）。另一种晶体管称为场效管（FET），将工作电压转换为导出电流转换。FET收获相当于它transconductance， 将导出电流的变化定义为输出工作电压的变化比。目前市场上经常出现N沟和P沟，详情请参考右侧照片（N沟道耗光型MOS管）。P沟通一般为低压mos管。

N沟道mos管标记

根据静电场在电缆护套上的投射，场效管危及穿过晶体管的电流。事实上，没有电流通过绝缘物，所以FET管的GATE电流很小。最一般的FET用一层二氧化硅作为GATE极下绝缘物。这种晶体管被称为氢氧化物半导体材料（MOS）晶体管或氢氧化物半导体材料场效管（MOSFET）。由于MOS因此，它们已经在许多应用场所取代了双极晶体管。

P沟道mos管标记

MOS如下：

第一、MOS管道本身的输入阻抗很高，栅-源极间电容很小，很容易被外部磁场或静电磁感应通电，而小量的正电荷可以在极间电容上产生非常高的工作电压（U=Q/C），破坏管道。虽然MOS键入端有抗静电保证措施，但在储存和运输过程中最好用不锈钢容器或导电原料包装，不要放入容易引起静电高压的化学原料或化纤纺织品中。专用工具、仪表盘、操作台等。在组装和调整过程中应具有良好的接地装置。为避免实际操作人员静电影响造成的损坏，如不适合穿涤纶、化纤衣服，手或专用工具在触摸引脚前最好先接地。调直弯曲或人工焊接设备导线时，应用的机械设备必须具有优良的接地装置。

二是MOS电源电路键入端维护二极管，关闭时电流容量一般为1ma 大瞬态输入电流(超过10ma)时，应串联输入防护电阻器。129#在早期设计方案中没有添加维护电阻，所以这也是MOS管很有可能穿透的缘故，而根据拆换一个内部有维护电阻器的MOS这种无效的产生可以防止管道。此外，由于维护电源电路获取的瞬时动能相对有限，大的瞬时数据信号和过高的静电工作电压维护电源电路失效。因此，电铬铁在焊接过程中必须安全可靠地接地装置，以防止电穿透装置进入端。一般情况下，电源关闭后，电铬铁的余热回收可用于焊接，接地装置的引脚可先焊接。

静电的基本物理特征是：能量吸引或阻力；静电场存在，与地面电位差；会导致充放电电流。这三种情况会对电子元件造成以下危害：

1.元件吸尘，改变路线间的特性阻抗，危及元件的基本功能和使用寿命。

2.因静电场或电流毁坏元件电缆护套和电导体，使元件不可以工作中（彻底毁坏）。

3.由于静电场瞬间软穿透或电流过热，部件受损，虽然仍能工作，但使用寿命受损。

在上述三种情况下，如果元件完全损坏，将能够在制造和质量检验中被发现并清除，危害较小。如果元件轻微损坏，在所有正常检测中都不容易发现。在这种情况下，经常被发现损坏，因为它经过多次生产加工，甚至在使用时。不仅检查不容易，而且损坏也难以预测。静电对电子元件的损坏不亚于严重的火灾事故和爆炸损坏

在什么情况下，电子么情况下会被静电破坏？可以说，电子设备从制造到应用都受到静电破坏的危害。在静电的危害下，从设备制造到软件装焊、整体装联、包装运输到商品应用。在全部电子设备生产过程中，每一个环节中的每一个小流程，静电比较敏感元件都很有可能遭到静电的危害或受到损坏，而事实上最关键而又非常容易粗心大意的一点则是在元件的传输与运送的全过程。在这个环节中，由于运输很容易暴露在外部静电场（如高压机械设备周围、员工频繁运动、汽车快速运动等），因此必须注意整个运输过程，以减少损失，防止不在乎 ** 。