详解MOS管在驱动电路的发热因素

做电源设计，生产制造电子设备或做推广电路，必然要使用MOS管。MOS管在电路维护中具有至关重要的影响力，MOS管道有很多方法和包装形式，但也有一些效果。做开关电源或推广应用，自然是使用其开关效果。

无论N型还是P型MOS管道的原理本质是一样的。MOS导出端漏极的电流由添加到键入端栅极的工作电压操作。MOS管道是一种压力控制装置。它利用加在栅极上的工作电压控制装置的特点，不易产生基极电流引起的正电荷存储效用，因此在开关应用中，MOS管道的开关速率应比三极管快。

一、MOS管电路原理：

我们在开关和开关电源中很常见MOS管道的漏极引路电路，如下图2所示，完好无损地连接负载，称为引路漏极。无论负载连接到多少工作电压，负载电流都可以连接和关闭。

是理想化的仿真模拟开关设备。MOS管道开关设备的基本原理。MOS管道开关应用的电路方式有很多。

二、NMOS管的引路漏极电路：

这种操作必须在开关开关电源的应用层面进行MOS按时导通和关闭管道。例如，DC-DC电源中常用的降血压转化器基本上依赖两个MOS该开关用于实现开关功能，而不是将动能储存在电感器中，然后将动能释放到负载中。人们经常选择数百人kHz甚至1MHz由于工作频率越高，带磁元件可以越小越轻。常规工作中期，MOS管只等同于电导体。因此，电路或电源设计人员最关心的是MOS最小传输损耗。

大家常常看MOS管的PDF主要参数，MOS选择管道制造商RDS(ON)对于开关的应用，主要参数来定义关断阻抗，RDS(ON)也是最重要的设备特性。定义数据信息指南RDS(ON)与栅极(或推动)工作电压VGS与流过开关的电流量有关，但对于足够的栅极推动，RDS(ON)是相对静态数据的主要参数。一直在关闭MOS管道很容易烫伤。此外，逐渐升高的结温也会引起RDS(ON)的提升。

MOS管数据信息指南要求定位为热阻抗的主要参数MOS半导体材料结排热能力的管道封装形式。RθJC简单的理解是结到列管式热阻抗。

三、MOS电路中管道发热的原因：

1.电路设计方案的问题，便是让MOS管道工作中的线性运行状态，而不是开关状态。这也是造成MOS管道发热的原因之一。假如N-MOS做开关，G工作电压高于开关电源V，可以完全关闭，P-MOS则反过来。输出功率消耗不完全打开，损耗过大，等效电路直流电阻抗大，损耗扩大U*I也扩大，消耗代表烫伤。这也是设计方案电路的最避讳的不正确。

2.工作频率过高，主要是因为有时过于追求完美的体积，导致工作频率增加，MOS管道上的损耗扩大了，所以热量也扩大了。

3.导热设计方案不够好，电流过高，MOS一般来说，管允差的电流必须排热良好。ID低于大电流，也有可能发热严重，必须非常协助散热器。

4.MOS管型选择不正确，输出功率分辨不正确，MOS管内电阻未考虑，导致开关阻抗扩大。