分析MOS管发热严重的具体因素

最近，解决了很多问题MOS管道开关驱动的一些问题，突然觉得有必要总结一下MOS管道发热问题。

做电源设计，或者做驱动电路，难免要用到现场效应管，也就是人们常说的MOS管。MOS管道有很多种，也有很多功能。用于电源或驱动，当然是用它的开关。

无论N型还是P型MOS工作原理的本质是一样的。MOS输出端漏极的电流由添加到输入端栅极的电压控制。MOS管道是一种压力控制装置。通过增加在栅极上的电压控制装置的特性，在开关应用中不会产生基极电流引起的电荷存储效应，MOS管道的开关速度应比三极管快。其主要原理如图所示：图1

图1MOS管道的工作原理

我们经常使用开关电源MOS管道漏极开路电路，如图2所示，漏极原封不动地连接负载，称为开路漏极，无论负载连接电压有多高，都可以连接和关闭负载电流。这是一个理想的模拟开关设备。MOS管道开关设备的原理。MOS管道开关采用多种电路形式。

图2NMOS管道开路漏极电路

在开关电源应用方面，这种应用需要MOS定期导管和关管。比如，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管道执行开关功能，将能量交替存储在电感中，然后释放到负载中。我们经常选择数百kHz乃至1MHz由于频率越高，磁性元件越小越轻。正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们的电路或电源设计师最关心的是MOS最小传导损失。

我们经常看MOSPDFDF参数，MOS采用管制造商RDS(ON)对于开关应用，参数定义导通阻抗，RDS(ON)也是最重要的设备特性。定义数据手册RDS(ON)电压与栅极(或驱动)VGS以及流经开关的电流，但对于足够的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直在导通MOS管道容易发热。此外，结温的缓慢升高也会导致结温的缓慢升高RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS半导体结散热能力的管道封装。RθJC最简单的定义是管壳的热阻抗。

1.发热有，电路设计的问题是让MOS管工作处于线性工作状态，而不是开关状态。这也是导致MOS管道发热的原因之一。如果N-MOS做开关，G比电源高几级电压V，完全导通，P-MOS则相反。成功率消耗不完全打开，压降过大，等效直流阻抗相对较大，压降增大U*I也增加了，损失意味着发烧。这是设计电路最忌讳的错误。

2，频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管道损失增加，发热增加

3.散热设计不够，电流过高，MOS管道标称的电流值通常需要良好的散热才能达到。ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热器。

4，MOS管道选型错误，功率判断错误，MOS管道内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增加

我最近在处理MOS管发热问题简单总结。其实这些问题也是老生常谈的问题，比如开关电源或者MOS当然，有时还有其他因素，主要是上述原因。