联系方式

    深圳市英瑞尔芯科技有限公司

    电话:

    186 6591 0262

    E-mail:

    sally@szinter.com.cn

    地址:

    深圳市福田区振华路现代之窗A座7B

什么是pwm驱动mos管开关?

发布时间:2022-07-15 17:07:00

来源:http://www.szinter.com.cn/news838749.html

《泰德兰电子》提供输出功率MOSFET型号规格型号的选择和应用分析及其问题AC-DC,DC-DC电源IC计划方案型号规格建议-什么?pwm驱动mos管道电源开关

答:MOS管开关电路是一种电源电路MOS管栅压(g)操纵MOS管源极(s)和漏极(d)电源电路的基本原理结构。MOS管道分为N段和P段,因此开关电路也分为两种。本文为您生成了三种类型pwm驱动mos管开关电路分析。

AO3401很常见MOS管道,独特的负荷,如H桥内的双重MOS驱动。常用的驱动集成ic如AO3400

假如只有一个MOS这种加强型管道的一般驱动方法NMOS管立即加一个电阻器过流保护就可以。因为MOS为了更好地加有分布式电容器。有时,为了更好地加速电容器的放电,电阻反向连接二极管。

用以NMOS驱动电源电路和PMOS驱动电源电路

对于NMOS简要分析驱动电源电路:

Vl和Vh中低端和高端开关电源,两个电压可以相同,但是Vl不应该超出Vh。

Q1和Q2形成反置图腾柱,同时保证两个驱动管Q3和Q同时关闭也不容易。

R2和R3提供了PWM根据此标准的修改,电压标准可以使电源电路工作PWM信号波形较陡的部位。

Q3和Q由于关闭,4用于提供驱动电流,Q3和Q4相对性Vh和GND至少只有一个Vce这种损失通常只有0.3V上下,大小于0.7V的Vce。

R5和R6用于意见反馈电阻器gate电压取样,取样后的电压根据Q5对Q1和Q2的基极引起明显的负反馈,然后是gate电压限制在相对有限的值上。这个值可以根据R5和R6来调整。

最终,R1提供了对Q3和Q基极电流基极电流,R4提供了对MOS管的gate限制电流,即Q3和Q4的Ice限制。在必要的过程中R加速电容并接在上面。

该电源电路提供了以下特:

1、中低端电压和PWM驱动高档MOS管。

2.使用一些较小的范围PWM信号驱动高gate电压要求的MOS管。

3,gate最高电压限制

4.限制输入和导出的电流

5.根据适当的电阻,功能损耗可以很低。

6,PWM信号正反相。NMOS并不一定这一特性,可以根据外置一个反相器来处理。

相关标签: