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场效应管之MOS管

发布时间:2022-06-08 23:02:00

来源:http://www.szinter.com.cn/news819757.html

一、N沟道耗尽型MOS管

在绝缘层 中参入大量正离子如下图所示:

即使 =0,在正离子作用下,也存在反型层,即y漏源之间存在导电沟道。

可以想象: >0 ===》 沟道变宽

: <0 ===》 沟道变窄

二、P沟道MOS管

专业术语不想再聊了,太绕口。直接一点,所谓N沟道就是在Pn型半导体上面做了两个N区域。两个N区域之间通过一定手段实现一个通道(沟道).从而两个N区域导通。

那么P沟道MOS管,顾名思义了,就是在N型半导体的硅片上做了两个P区域。然后呢也是通过一定手段将两个P区域之间形成过一个沟道,从而两个P型区域导通(其实说的很不专业,不求甚解,重在理解)。

三、VMOS管

想象一下MOS管,漏源之间加上电压,导致漏源之间存下一定电流从微观上来看时电子流向漏极。所以管子的耗散功率主要消耗在漏极上面,但是MOS管的漏极很小。从而导致MOS管不能承受较大的功率。VMOS管也就是为了解决这个原因而产生的。

如图以N沟道VMOS为例

问题在于他是如何解决可以承受高功率的呢?MOS之所以m不能承受是因为漏极太小。所以VMOS管将漏极做的很大。如图红色方框标注的地方。 和N型外延伸层共同组成了漏极。从而使漏区面积增大。

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