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失效分析-MOS管特性

发布时间:2022/6/6 23:02:00

来源:http://www.szinter.com.cn/news818703.html

MOS管的MOS特性:

turn off /turn on 延时 :限制了MOS器件的工作速度频率,当使用MOS上下管时必须注意两只管子的反应时间,即上管关闭下管导通之间的延时。MOS管的导通电阻RDS(on)随着温度的升高而增加MOS管的阈值电压VGS(th)沟道体区发生反型时需要的最低栅源电压,VGS(th)随温度升高而降低MOS漏源击穿电压:稳态时关断后的最大电压不能超过额定电压的70%~90%漏极电流Idd:计算得来

已知:壳温TC,导通电阻Rds(on)(一定温度下),热阻RthJc, 最大结温Tj ** x

MOS 的雪崩,与寄生的NPN双极晶体管有关MOS管EOS 的来源dv/dt过快,引起寄生的NPN晶体管激活,二次击穿(雪崩或者功率击穿)发生栅电压驱动过强或静电电压过大,激活寄生的NPN晶体管栅极工作频率过大,激活寄生的NPN晶体管自激振荡引起寄生的NPN晶体管激活,二次击穿

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