MOS管：主要参数和重要特性

众所周知，晶体管分为双极性晶体管和单极性晶体管，其中：

双极性晶体管：三极管 NPN管和PNP管；

单极性晶体管：场效应管（MOSFET和JFET）；

MOS管相对三极管具有：速度快、输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、容易集成等优点。

下面总结下其主要参数与重要特性，只有比较好的理解了其参数和特性才能设计出稳健可靠的电路。

BVDSS：漏源击穿电压，为正温度系数

BVGS：栅源击穿电压

VGS(th)：阈值电压，为负温度系数

VSD：体二极管正向电压

RDS(on)：导通电阻

RGS：栅源电阻，栅源之间电压与栅极电流之比

IDSS：零栅压漏极电流，正温度系数

IGSS：栅源漏电流，特定的栅源电压下流过栅极的电流

Ciss输入电容，漏源短接，交流信号测得的栅极和源极之间的电容。

Ciss=Cgs+Cgd，输入电容充电到阈值电压时器件开启，放电到一定值器件关断，因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有直接影响；

Coss输出电容，栅源短接，交流信号测得漏极和源极之间的电容。

Coss=Cds+Cgd，对于软开关应用，可能引起电路谐振；

Crss反向传输电容，源极接地，测得漏极和栅极之间电容，等同于Cgd。

也叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间及其重要。

Td（on）导通延迟时间：栅源电压上升到10%栅极驱动电压时到漏电流升到规定电流的90%所经历的时间。

Td（off）关断延时时间：栅源电压下降到90%栅极驱动电压时到漏电流下降到规定电流的10%所经历的时间。

Tr：上升时间：漏极电流从10%上升到90%所经历的时间；

Tf：下降时间：漏极电流从90%下降到10%所经历的时间；

NF低频噪声系数：噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的，由于它的存在可以使放大器在没有信号输入时，输出端也会有不规格的电压电流变化。场效应管的噪声系数一般几个分贝，比双极性三极管的要小。

gm：跨导，如同三极管的β，衡量MOS管的放大能力标识之一；

小功率管gm可以做大，大功率管gm一般都很小；尤其做开关管用，小好。

电导是电阻的倒数，跨导是输出端电流的变量受输入端电压变化的比值；

所以跨导，可以控制漏源之间的电流大小。

Ø 导通特性

导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。Vgs满足一定条件就会导通。

Ø 损耗特性

导通后均有导通电阻存在，电流就会被电阻消耗能量，这部分叫做导通损耗；

小功率的管子导通电阻一般几毫欧几十毫欧，Vgs电压不一样电阻也不一样。

管子在导通和截止时，两端电压有个降落过程，电流有个上升过程，在这段时间内管子的损失是电压和电流的乘积，称之为开关损失；通常开关损失比导通损失大很多，频率越快，损失越大。缩短开关时间，降低开关频率均能减小开关损失。

Ø 寄生电容驱动特性

GS GD之间存在寄生电容，MOS管的驱动理论上是对电容的充放电；

对电容的充电需要一个电流，由于电容充电瞬间可以看成短路，所以瞬间电流会比较大，所以选型时需要注意抗冲击电流大小。

Ø 寄生二极管

漏极源极之间有个寄生二极管也叫做体二极管，在感性负载（马达继电器）应用中，主要用来保护回路。不过体二极管只在单个MOS管中，集成芯片中是没有的。

Ø 转移特性

场效应管的转移特性是指漏源电压固定时，栅源电压Vgs对漏极电流Id的控制特性；

Vertical D-MOS管2N7002特性；VDMOS的跨导（gm）线性度好。

电源用开关管特性。

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