光敏/光电三极管（MOS管的特性）

感光/光学三极管（MOS管的特性）

MOS管，即氢氧化物半导体材料型场效应管，归属于场效应管中的绝缘层栅型。因而，MOS管有时候被称作绝缘层栅场效应管。在一般电子线路中，MOS管通常被用来运算放大器或开关电源电路。

关键分成N沟道场效应管、P沟道场效应管二种结构。

          图1                                                                              图2

图1：A、B分别是它的框架图和意味着标记；

图2： A、B分别是P沟道MOS管路框架图和意味着标记。

MOS管的原理：图3是N沟道MOS管工作中电路原理图.

                     图3-A                                                 图3-B

      从图3-A可以看得出，加强型MOS管的漏极D和源极S中间有两个背对背的PN结。当栅-源电压VGS=0时，即使再加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处在反偏情况，漏-源极间沒有导电性沟道（沒有电流量穿过），因此这时漏极电流量ID=0。

在栅-源极间再加上正方向电压，图3-B所显示，即VGS＞0，则栅压和硅衬底中间的SiO2电缆护套中便造成一个栅压偏向P型硅衬底的静电场，因为金属氧化物层是绝缘层的，栅压所加电压VGS没法产生电流量，金属氧化物层的两侧就产生了一个电容器，VGS等效电路是对这一电容器电池充电，并产生一个静电场，伴随着VGS慢慢上升，受栅压正电压的吸引住，在这个电容器的另一边就集聚很多的电子并产生了一个从漏极到源极的N型导电性沟道，当VGS超过管道的打开电压VT（一般约为 2V）时，N沟道管逐渐关断，产生漏极电流量ID，大家把逐渐产生沟道时的栅-源极电压称之为打开电压，一般用VT表明。操纵栅压电压VGS的尺寸更改了静电场的高低，就可以做到操纵漏极电流量ID的尺寸的目地，这也是MOS有用静电场来操纵电流量的一个关键特性，因此也称作场效应管。

MOS管的特性（图示）:

1） MOS管是一个由更改电压来操纵电流量的元器件，因此是电压元器件。

2） MOS管路键入特性为容性特性，因此输入电阻极高。

图4-A N沟道MOS管符号图             图4-B N沟道MOS管电压正负极及衬底联接

图5-A P沟道MOS管符号图            图5-B P沟道MOS管电压正负极及衬底联接

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我：wyf  2020.10.23