工程师必须掌握的MOS管驱动设计细节

一般觉得MOSFET是电压驱动的，不用驱动电流量。殊不知，在MOS的G S二级中间有结电容存有，这一电容器会让驱动MOS变的不这么简单。

如果不考虑到谐波失真和EMI等规定得话，MOS管电源开关速率越是快就越好，由于定时开关越少，开关损耗越小，而在开关电源电路中开关损耗占总耗损的非常大一部分，因而MOS管驱动电源电路的优劣立即影响了电源的效率。

针对一个MOS管，假如把GS中间的电压从0拖到管道的打开电压常用的時间越少，那麼MOS管打开的速率便会越快。与此相近，假如把MOS管的GS电压从打开电压降至0V的時间越少，那麼MOS管关闭的速率也就越快。

从而我们可以了解，假如想在更短的時间内把GS电压拉升或是降低，就需要给MOS管栅极更高的一瞬间驱动电流量。

大伙儿常见的PWM芯片导出立即驱动MOS或是用三极管放大后再驱动MOS的方式，实际上在一瞬间驱动电流量这方面是有非常大问题的。

比较好的办法是应用专门的MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管，这类的芯片一般有较大的一瞬间导出电流量，并且还兼容TTL电平键入，MOSFET驱动芯片的内部构造

MOS驱动电路原理必须留意的地区：

由于驱动路线布线会出现生存电感器，而生存电感器和MOS管的结电容会构成一个LC谐振电路，假如立即把驱动芯片的导出端收到MOS管栅极得话，在PWM波的升高降低沿会造成非常大的振荡，造成MOS管大幅度发烫乃至发生爆炸，一般的解决方案是在栅极串连10欧上下的电阻，减少LC正弦波振荡器的Q值，使振荡快速损耗掉。

由于MOS管栅极高输入电阻的特点，一点点静电感应或是影响都很有可能造成MOS管欺诈通，因此提议在MOS管G S中间并接一个10K的电阻以减少输入电阻

假如担忧周边输出功率路线上的影响藕合回来造成一瞬间髙压穿透MOS管得话，可以在GS中间再并接一个18V上下的TVS瞬态抑止二极管，TVS可以觉得是一个反应速率迅速的稳压管，其一瞬间可以承担的输出功率达到好几百高于一切KW，可以用于消化吸收一瞬间的影响单脉冲。

MOS管驱动电源电路参照

MOS管驱动电源电路的走线设计方案

MOS管驱动路线的环城路总面积要尽量小，不然有可能会引进外界的干扰信号

驱动芯片的旁路电容要尽可能挨近驱动芯片的VCC和GND管脚，不然布线的电感器会非常大水平上危害芯片的一瞬间导出电流量。

普遍的MOS管驱动波型

假如发生了那样圆不溜秋的波型就等待核爆炸吧。有挺大一部分時间管道都工作中在线形区，耗损极为极大。

一般这样的情况是走线过长电感器很大，栅极电阻都救不上你，只有再次画木板。

高频率振铃比较严重的破相波形。在升高降低沿振荡比较严重，这样的事情管道一般一瞬间死了，紧跟一个状况类似，进线形区。缘故也相近，主要是走线的问题。又胖又圆的肥猪波。升高降低沿极为迟缓，这是由于特性阻抗不配对造成的。芯片驱动工作能力很差或是栅极电阻很大。

坚决换大电流量的驱动芯片，栅极电阻往小格调就OK了。

打肿脸充正弦函数的生于波形她们家的三角波。驱动电源电路特性阻抗超大型发过。此乃管道必杀技波。解决方案跟上面一样。

大家脸形，大众都喜爱的波形。高低电频明晰，脉冲信号此刻可以叫脉冲信号了，因为它平。边缘险峻，电源开关速度更快，耗损不大，稍有振荡，可以接纳，管道进不去线形区，强迫思维得话可以适度调高栅极电阻。

四四方方的帅男波，无振铃无顶峰无线形耗损的三无产品，这就是最极致的波型了。