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什么是pwm驱动mos管开关?

发布时间:2021-12-05 06:05:00

来源:http://www.szinter.com.cn/news731706.html

《泰德兰电子》提供输出功率MOSFET的型号规格型号选择及运用问题分析及其AC-DC,DC-DC电源IC计划方案型号规格建议---什么是pwm驱动mos管电源开关?

答:MOS管开关电路是利用一种电源电路,是利用MOS管栅压(g)操纵MOS管源极(s)和漏极(d)导通的基本原理结构的电源电路。MOS管分成N断面与P断面,因此开关电路也关键分成二种。文中为各位产生三种pwm驱动mos管开关电路分析。

AO3401便是很常见的MOS管了,独特负荷如H桥里边的双MOS驱动。有常用的驱动集成ic如AO3400

假如仅仅单独一个MOS管的一般驱动方法像这类加强型NMOS管立即加一个电阻器过流保护就可以。因为MOS管内部结构有分布电容有时为了更好地加快电容放电,会在功率电阻反方向并接一个二极管。

用以NMOS的驱动电源电路和用以PMOS的驱动电源电路

对于NMOS驱动电源电路做一个简易剖析:

Vl和Vh分别是中低端和高档的开关电源,2个电压可以是同样的,可是Vl不应该超出Vh。

Q1和Q2构成了一个反置的图腾柱,用于完成防护,与此同时保证二只驱动管Q3和Q4不容易与此同时关断。

R2和R3提供了PWM电压标准,根据修改这一标准,可以让电源电路工作中在PWM信号波型较为陡直的部位。

Q3和Q4用于提供驱动电流量,因为关断的情况下,Q3和Q4相对性Vh和GND最少都只有一个Vce的损耗,这一损耗通常仅有0.3V上下,大大的小于0.7V的Vce。

R5和R6是意见反馈电阻器,用以对gate电压开展取样,取样后的电压根据Q5对Q1和Q2的基极造成一个明显的负的反馈,进而把gate电压限定在一个比较有限的标值。这一标值可以根据R5和R6来调整。

最终,R1提供了对Q3和Q4的基极电流量限定,R4提供了对MOS管的gate电流量限定,也就是Q3和Q4的Ice的限定。必需的过程中可以在R4上边并接加速电容。

这一电源电路提供了如下所示的特性:

1,用中低端电压和PWM驱动高档MOS管。

2,用一些较小幅度的PWM信号驱动高gate电压要求的MOS管。

3,gate电压的最高值限定

4,键入和导出的电流量限定

5,根据采用适宜的电阻器,可以做到很低的功能损耗。

6,PWM信号正相反。NMOS并不一定这一特性,可以根据外置一个反相器来处理。

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