MOS管FET栅源保护

输出功率 MOS 管本身有着诸多优势，可是MOS 管具备较敏感的承担短时间超载工作能力，措施不力高频率的运用场所，因此在运用输出功率 MOS 管对务必为其设计方案有效的保护电路来提升器件的稳定性。

输出功率 MOS 管保护电路关键有下面一些层面：

1）避免栅极 di/dt 过高

因为选用推动集成ic，其输出阻抗较低，立即推动功率管会造成推动的功率管迅速的开启和关闭，有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动，或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成欺诈通。为防止以上问题的产生，一般在 MOS 控制器的輸出与 MOS 管的栅极中间串连一个电阻器，电阻器的尺寸一般选择几十欧母。

2）避免栅源极间过压

因为栅极与源极的特性阻抗很高，漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶峰工作电压，此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透，与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透，因此要在 MOS 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管稳压管值下列，保护 MOS 管不被穿透，MOS 管栅极电容串联是为了更好地释放出来栅极正电荷，不许正电荷累积。

3）安全防护漏源极中间过压

尽管漏源击穿电压 VDS 一般都非常大，但假如漏源极不用保护电路，一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶峰工作电压，从而毁坏 MOS 管，功率管电源开关时间越快，造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏，一般选用齐纳二极管钳位和 RC 缓存电路等保护对策。

当电流量过大或是产生短路故障时，输出功率 MOS 管破极与源极中间的电流量会快速提升并超出额定电流，务必在过电流规定值所规范的時间内关闭输出功率 MOS 管,不然器件将被烧毁，因而在主控制回路提升电流量取样保护电路，当电流量抵达一定值，根据保护电路关掉推动电路来保护 MOS 管。

下面的图是 MOS 管的保护电路，从而可以清晰的看得出保护电路的作用。

关键字：MOS管FET栅源保护、MOS管。