意法半导体(ST)推出MasterGaN2使电源适配器缩小体积80%，减重70%

意法半导体（STMicroelectronics;ST）是世界技术，给予与日常日常生活密不可分的智能化的、高能效的商品及解决方法。意法半导体的商品无所不在，专注于与顾客共同奋斗完成无人驾驶、智能车间、新型智慧城市和智能家居系统，及其下一代挪动和物联网产品。享有高新科技、享受人生，意法半导体认为高新科技助推智慧生活（life.augmented）的核心理念。意法半导体2019年净利润95.6亿美金，在全世界有着10亿元顾客。

根据MasterGaN®服务平台的自主创新优点，意法半导体发布了MasterGaN2，做为新系列产品双非对称加密氮化镓(GaN)晶体管的第一款商品，是一个适用软电源开关数字功放钳位反激拓扑结构的GaN一体化解决方法。

意法半导体(ST)发布MasterGaN2 使适配器变小容积80%，减脂70%

2个650V常关型GaN晶体管的通断电阻器(RDS(on))分别是150mΩ和225mΩ，每一个晶体管都集成化一个提升的栅极控制器，使GaN晶体管像一般硅器件一样方便快捷实用。集成化了优秀的推动作用和GaN自身原有特性优点，MasterGaN2可进一步提高数字功放钳位反激式逆变电路等拓扑结构电源电路的高能效、小量和轻量优点。

MasterGaN供电系统级封裝（SiP）系列产品在同一封裝中融合2个GaN高电子器件电子密度晶体管（HEMT）和配套设施的髙压栅极控制器，并内嵌了全部的必不可少的保障作用。设计方案工作人员可以轻轻松松地将霍尔元件和DSP、FPGA或微处理器等外围设备传送数据MasterGaN器件。键入兼容3.3V-15V逻辑性数据信号，有利于简单化电路原理和物料，容许应用更小的线路板，并简单化商品安裝。这类集成化计划方案有利于提升电源适配器和闪充充电器的功率。

GaN技术性已经推动USB-PD电源适配器和智能化手机充电头向快速充电方位发展趋势。意法半导体的MasterGaN器件可使这种充电头变小容积80%，减脂70%，而电池充电速率是一般硅基解决方法的三倍。

内嵌维护作用包含多少边欠压保护锁住（UVLO）、栅极控制器自锁互锁、专用型关掉脚位和超温维护。9mmx9mmx1mmGQFN是为髙压应用优化的封裝，高压低压焊层中间的击穿电压超出2mm。